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imec:EUV光刻機一號試做機會在2023年由ASML提供給imec 2026年量產

在上月的ITF大會上,半導體行業大腦imec(比利時微電子研究中心)公布的藍圖顯示,2025年后晶體管進入埃米尺度(?,angstrom,1埃 = 0.1納米),其中2025對應A14(14?=1.4納米),2027年為A10(10?=1nm)、2029年為A7(7?=0.7納米)。

當時imec就表示,除了新晶體管結構、2D材料,還有很關鍵的一環就是High NA(高數值孔徑)EUV光刻機。其透露,0.55NA的下代EUV光刻機一號試做機(EXE:5000)會在2023年由ASML提供給imec,2026年量產。

不過,本月與媒體交流時,ASML似乎暗示這個進度要提前。第一臺高NA EUV光刻機2023年開放早期訪問,2024年到2025年開放給客戶進行研發并從2025年開始量產。

據悉,相較于當前0.33NA的EUV光刻機,0.55NA有了革命性進步,它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。

分析師Alan Priestley稱,0.55NA光刻機一臺的價格會高達3億美元(約合19億),是當前0.33NA的兩倍。

早在今年7月,Intel就表態致力于成為高NA光刻機的首個客戶,Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法,并將高NA EUV光刻機視為一次重大技術突破。

責任編輯:Rex_13

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